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KSMF16N15	文件：1.98988 Mbytes Page：7 Pages	150V N-CHANNEL MOSFET 文件：1.98988 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
KSMU16N15	文件：1.64286 Mbytes Page：8 Pages	150V N-CHANNEL MOSFET 文件：1.64286 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
FQB16N15	文件：748.65 Kbytes Page：9 Pages	150V N-Channel MOSFET Features • 16.4A, 150V, RDS(on) = 0.16Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 23 nC) • Low Crss ( typical 30 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability • 175°C maximum junction temperature rating 文件：748.65 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD16N15	文件：730.22 Kbytes Page：9 Pages	150V N-Channel MOSFET 文件：730.22 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI16N15	文件：748.65 Kbytes Page：9 Pages	150V N-Channel MOSFET Features • 16.4A, 150V, RDS(on) = 0.16Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 23 nC) • Low Crss ( typical 30 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability • 175°C maximum junction temperature rating 文件：748.65 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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