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KSMF52N20T	文件：2.6485 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel MOSFET 文件：2.6485 Mbytes 页数：9 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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FDB52N20	文件：328.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =49mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：328.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多KSMF52N20T供应商更新时间2026-2-6 14:02:00