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详细参数

  • 型号：

    FQP8N60C_Q

  • 功能描述：

    MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
FQP8N60C-125
FAIRCHILD/仙童
23+
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FQP8N60CFT
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FQP8N60CMOS(场效应管)
FAIRCHILD/仙童
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TO-220
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全新原装正品现货,支持订货
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深圳庞田科技有限公司
FQP8N60CMOS(场效应管)
FAIRCHILD/仙童
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TO-220
20000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
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深圳市星宇佳科技有限公司
FQP8N60CMOS(场效应管)
FAIRCHILD/仙童
220
07
30
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TO220
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FQP8N60C-VB
VBSEMI/微碧半导体
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TO220
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