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FGAF40N60SMD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGAF40N60SMD

参数属性

FGAF40N60SMD 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF

功能描述

IGBT,600V,40A,场截止
IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF

封装外壳

TO-3P-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FGAF40N60SMD规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的新型场截止第2代 IGBT 系列采用创新型场截止 IGBT 技术,为消费类电器、运动控制和家用电器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性 Features

•最大结温 TJ = 175°C
•正温度系数,易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压: VCE(sat) = 1.9V(典型值) IC = 40A 时
•高输入阻抗
•快速开关: EOFF =6.5uJ/A
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 消费型设备
• 运动控制-家用设备

简介

FGAF40N60SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGAF40N60SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGAF40N60SMD

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :40

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.9

  • VF Typ (V)

    :2.3

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.26

  • Eon Typ (mJ)

    :0.87

  • Trr Typ (ns)

    :110

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :119

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :115

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-3PF-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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