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FGA20S120M

1200V, 20A Shorted-Anode IGBT

文件:795.07 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGA20S120M

1200V, 20A Shorted-Anode IGBT

ONSEMI

安森美半导体

FGA20S120M

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 40A 348W TO3PN

ONSEMI

安森美半导体

FS20S120CT

20.0 Ampere Surface Mount Dual Series Connection Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power S

文件:314.2 Kbytes 页数:2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

IDW20S120

thinQ!TM SiC Schot tky Diode

文件:754.37 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    FGA20S120M

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,20A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 348W TO3PN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-3P
45000
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TO-3P
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TO-3P
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TO3PN
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仙童正品
23+
TO-3PN
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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更多FGA20S120M供应商 更新时间2026-2-1 14:14:00