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FGA90N30TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 300V 90A 219W TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAM90N30D	文件：242.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM90N30G	文件：245.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FGA90N30	文件：787.79 Kbytes Page：8 Pages	300VPDPIGBT Description EmployingUnifiedIGBTTechnology,FGA90N30provideslowconductionandswitchingloss.FGA90N30offerstheoptimumsolutionforPDPapplicationswherelowcondutionlossisessential. Features •HighCurrentCapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat),Typ=1.1V@IC=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA90N30D	文件：833.24 Kbytes Page：9 Pages	300VPDPIGBT Description EmployingUnifiedIGBTTechnology,FGA90N30Dprovideslowconductionandswitchingloss.FGA90N30DofferstheoptimumsolutionforPDPapplicationswherelowcondutionlossisessential. Features •HighCurrentCapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat),Typ=1.1V@IC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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IXFR90N30	文件：55.15 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247 HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackSurface) SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR90N30	文件：179.17 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX90N30	文件：368.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX90N30	文件：125.62 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Applications •DC-DCconverters •Battery	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
FGA90N30TU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.4V @ 15V，20A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 300V 90A 219W TO3P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	FGA90N30TU	Fairchild	07+/08+	TO-3P	450		询价
深圳市博浩通科技有限公司	FGA90N30TU	Fairchild	23+	TO-3P	7750	全新原装优势	询价
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深圳市科雨电子有限公司	FGA90N30TU	ON	1503+	TO-3P	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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