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FGB30N6S2D	文件：281.66 Kbytes Page：12 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode General Description The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and re 文件：281.66 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB30N6S2D	文件：287.27 Kbytes Page：12 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode General Description The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and re 文件：287.27 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB30N6S2DT	文件：287.27 Kbytes Page：12 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode General Description The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and re 文件：287.27 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB30N6S2DT	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 600V 45A 167W TO263AB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
45A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
108A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.5V @ 15V，12A
功率 - 最大值：
167W
开关能量：
55µJ（开），100µJ（关）
输入类型：
标准
栅极电荷：
23nC
25°C 时 Td（开/关）值：
6ns/40ns
测试条件：
390V，12A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：
46ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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