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FGB30N6S2DT数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FGB30N6S2DT

功能描述

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:20:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FGB30N6S2DT

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :45A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)

    :108A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.5V @ 15V,12A

  • 功率 - 最大值

    :167W

  • 开关能量

    :55µJ(开),100µJ(关)

  • 输入类型

    :标准

  • 栅极电荷

    :23nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值

    :6ns/40ns

  • 测试条件

    :390V,12A,10 欧姆,15V

  • 反向恢复时间(trr)

    :46ns

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装

    :TO-263AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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