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FGB20N60SFD数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FGB20N60SFD

功能描述

IGBT,600V,20A,场截止

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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FGB20N60SFD规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

特性 Features

•高电流能力
•低饱和电压:VCE(sat) =2.2V @ IC = 20A
•高输入阻抗
•快速开关:EOFF =8uJ/A
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :FGB20N60SFD

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :20

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.2

  • VF Typ (V)

    :1.9

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.16

  • Eon Typ (mJ)

    :0.37

  • Trr Typ (ns)

    :57

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :65

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :208

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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100000
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