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FGB20N60S_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书
FGB20N60S_F085规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的新的场截止 IGBT 系列采用新型的场截止 IGBT 技术,为车用充电器、逆变器和其他低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性 Features
• 高电流能力
• 低饱和电压: VCE(sat) = 2.2 V (IC = 20 A)
• 高输入阻抗
• 快速开关
• 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求
• 符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
:FGB20N60S_F085
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:40
- VF Typ (V)
:1.9
- Eoff Typ (mJ)
:0.13
- Eon Typ (mJ)
:0.31
- Trr Typ (ns)
:111
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:63
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:208
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
1631 |
2 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO263 |
2337 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
54000 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
原装 |
12173 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-263 |
10000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
2337 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO263 |
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