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FGB20N60S_F085中文资料IGBT,600V,20A,2.2V,D2PAK 场截止数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGB20N60S_F085

功能描述

IGBT,600V,20A,2.2V,D2PAK 场截止

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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FGB20N60S_F085规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的新的场截止 IGBT 系列采用新型的场截止 IGBT 技术,为车用充电器、逆变器和其他低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

特性 Features

• 高电流能力
• 低饱和电压: VCE(sat) = 2.2 V (IC = 20 A)
• 高输入阻抗
• 快速开关
• 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求
• 符合 RoHS 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :FGB20N60S_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :40

  • VF Typ (V)

    :1.9

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.13

  • Eon Typ (mJ)

    :0.31

  • Trr Typ (ns)

    :111

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :63

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :208

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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