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FGB3040G2-F085C数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGB3040G2-F085C |
| 参数属性 | FGB3040G2-F085C 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263 |
| 功能描述 | IGBT，400V，26A，1.35V，300mJ，D2PAKEcoSPARK® II，N 沟道点火 |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 20:00:00 |
| 人工找货 | FGB3040G2-F085C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGB3040G2-F085C规格书详情
描述 Description
N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.
特性 Features
• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25°C
• Logic Level Gate Drive
• Qualified to AEC Q101
• RoHS Compliant
应用 Application
• Power Train
简介
FGB3040G2-F085C属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGB3040G2-F085C晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGB3040G2-F085C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：400
- IC Max (A)
：26
- VCE(sat) Typ (V)
：1.5
- Trr Typ (ns)
：1900
- Gate Charge Typ (nC)
：21
- PD Max (W)
：150
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
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D2PAK |
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询价 | ||
ON |
24+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON |
19 |
TO263 |
16800 |
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ON |
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TO263 |
16800 |
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ON Sem |
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25000 |
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ONSEMI |
24+ |
N/A |
10000 |
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询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
