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FGB3040G2_F085中文资料IGBT，400V，26A，1.35V，300mJ，D2PAKEcoSPARK® II，N 沟道点火数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGB3040G2_F085 |
| 参数属性 | FGB3040G2_F085 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263 |
| 功能描述 | IGBT，400V，26A，1.35V，300mJ，D2PAKEcoSPARK® II，N 沟道点火 |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
| 人工找货 | FGB3040G2_F085价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGB3040G2_F085规格书详情
描述 Description
用于汽车点火线圈驱动器电路和笔式点火线圈应用的 N 沟道点火 IGBT。
特性 Features
• SCIS 能量=300mJ（TJ = 25°C）
• 逻辑电平栅极驱动
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合RoHS标准
应用 Application
• 传动系
简介
FGB3040G2_F085属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGB3040G2_F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGB3040G2_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：-
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：-
- Eon Typ (mJ)
：-
- Trr Typ (ns)
：1900
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：21
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：150
- Co-Packaged Diode
：-
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
4000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
TO263AB |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON |
1844+ |
TO-263 |
4000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
TO-263 |
749 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO263 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
TO-263AB |
19332 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Onsemi |
22+ |
TO-263 |
25000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
19+ |
800 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263AB |
400070 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
