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FGB30N6S2DT中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FGB30N6S2DT
厂商型号

FGB30N6S2DT

功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

文件大小

287.27 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-22 23:00:00

FGB30N6S2DT规格书详情

General Description

The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.

Features

• 100kHz Operation at 390V, 14A

• 200kHZ Operation at 390V, 9A

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°C

• Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V

• Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical

• UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ

• Low Conduction Loss

产品属性

  • 型号:

    FGB30N6S2DT

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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