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FGB30N6S2中文资料PDF规格书

FGB30N6S2
厂商型号

FGB30N6S2

功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

文件大小

259.31 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 23:00:00

产品属性

  • 型号:

    FGB30N6S2

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 Sgl 600V Ch

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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