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FGA90N33ATDTU分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGA90N33ATDTU
厂商型号

FGA90N33ATDTU

参数属性

FGA90N33ATDTU 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 330V 90A 223W TO3P

功能描述

330V, 90A PDP Trench IGBT

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

517.039 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FGA90N33ATDTU规格书详情

General Description

Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses areessential.

特性 Features

• High current capability

• Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC= 20A

• High input impedance

• Fast switching

• RoHS compliant

Applications

• PDP System

产品属性

  • 产品编号:

    FGA90N33ATDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.4V @ 15V,20A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 330V 90A 223W TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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