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FGAF20N60SMD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGAF20N60SMD
厂商型号

FGAF20N60SMD

参数属性

FGAF20N60SMD 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT FIELD STOP 600V 40A TO3PF

功能描述

600 V, 20 A Field Stop IGBT

封装外壳

TO-3P-3 整包

文件大小

960.45 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-5 9:40:00

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FGAF20N60SMD规格书详情

General Description

Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

特性 Features

• Maximum Junction Temperature : TJ = 175°C

• Positive Temperaure Co-efficient for easy Parallel Operating

• High Current Capability

• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.7 V(Typ.) @ IC = 20 A

• High Input Impedance

• Fast Swiching: EOFF = 7 uJ/A

• Tightened Parameter Distribution

• RoHS Compliant

Applications

• Sewing Machine, CNC

• Home Appliances, Motor-Control

产品属性

  • 产品编号:

    FGAF20N60SMD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    452µJ(开),141µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    12ns/91ns

  • 测试条件:

    400V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3PF

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 600V 40A TO3PF

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