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FGD2N40L

onsemi(安森美)TO-252(DPAK)

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FGD2N40LMOS(场效应管)

FAIRCHILD/仙童TO-252(DPAK)

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FGD2N40L

Fairchild/ONDPak

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深圳市华斯顿科技有限公司

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FGD2N40L

FAITO252

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深圳市一线半导体有限公司

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FGD2N40L

FAIRCHILDTO-252(DPAK)

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FGD2N40L

FAIRCHILD/仙童TO-252

44311

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深圳市能元时代电子有限公司

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FGD2N40L

原装正品TO-252

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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市河锋鑫科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童SOT-252

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原厂代理 终端免费提供样品

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FGD2N40L

onsemi(安森美)TO-252(DPAK)

22360

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FGD2N40L

FAIRCHILTO-252

15000

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FGD2N40L

NEXPERIA/安世SOT89

69820

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FGD2N40L

FSC/ON原包装原封 □□

29129

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-252(DPAK)

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FGD2N40L

FAIRCHILTO-252

28500

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FGD2N40L

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FGD2N40L功能描述:IGBT 晶体管 400V N-Channel Logic Level RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    FGD2N40L

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装：

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 2.4V，2.5A

  • 输入类型：

    逻辑

  • 25°C 时 Td（开/关）值：

    47ns/650ns

  • 测试条件：

    300V，2.5A，51欧姆，4V

  • 工作温度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

  • 供应商器件封装：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 400V 7A 29W DPAK

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