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FGA90N33ATTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 330V 90A 223W TO3P	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IXGA90N33TC	文件：150.19 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate, High Speed, IGBTs Trench Gate, High Speed, IGBTs For PDP Applications Features • Low VCE(sat) - for minimum On-State Conduction Losses • Fast Switching Applications • PDP Screen Drivers 文件：150.19 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGQ90N33TC	文件：150.19 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate, High Speed, IGBTs Trench Gate, High Speed, IGBTs For PDP Applications Features • Low VCE(sat) - for minimum On-State Conduction Losses • Fast Switching Applications • PDP Screen Drivers 文件：150.19 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
FGA90N33AT	文件：655.18 Kbytes Page：8 Pages	330V, 90A PDP Trench IGBT 文件：655.18 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGA90N33ATD	文件：517.039 Kbytes Page：9 Pages	330V, 90A PDP Trench IGBT General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses areessential. Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC= 文件：517.039 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGA90N33ATD	文件：750.23 Kbytes Page：9 Pages	330V, 90A PDP Trench IGBT General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses areessential. Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC= 文件：750.23 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

产品属性

产品编号：
FGA90N33ATTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.4V @ 15V，20A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 330V 90A 223W TO3P

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