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IXGQ90N33TC分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGQ90N33TC
厂商型号

IXGQ90N33TC

参数属性

IXGQ90N33TC 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 330V 90A 200W TO3P

功能描述

Trench Gate, High Speed, IGBTs
IGBT 330V 90A 200W TO3P

文件大小

150.19 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-17 9:30:00

IXGQ90N33TC规格书详情

Trench Gate, High Speed, IGBTs

For PDP Applications

Features

• Low VCE(sat)

- for minimum On-State Conduction Losses

• Fast Switching

Applications

• PDP Screen Drivers

IXGQ90N33TC属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGQ90N33TC晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXGQ90N33TC

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,45A

  • 输入类型:

    标准

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 330V 90A 200W TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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