600V，PT IGBT

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •高速开关： Eoff =12uJ/A\n•低饱和电压： VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 20A\n•高输入阻抗;

ONSEMI

安森美半导体

Ultrafast IGBT

文件：583.72 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

High Speed Switching

文件：288.13 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

600V, 40A Field Stop IGBT

文件：850.83 Kbytes 页数：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

600V, 40A Field Stop IGBT

General Description Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new sesries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Inverter, UPS, SMPS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High current capability • Low saturat

文件：683.15 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体