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FGA50N100BNTD

1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK

文件:710.03 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGA50N100BNTD

1000 V NPT Trench IGBT

文件:232.46 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGA50N100BNTD2

1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK

文件:816.94 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGA50N100BNTDTU

1000 V NPT Trench IGBT

文件:232.46 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGA50N100BNTD

IGBT,1000V,NPT 沟槽

该1000V NPT IGBT采用飞兆专有沟道设计和先进NPT技术,提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性,易于并行运行。该器件为 UPS、焊机、感应加热以及微波炉等硬开关应用提供最佳性能 •高速开关\n•低饱和电压:VCE(sat) = 2.5V @ IC = 60A\n•高输入阻抗;

ONSEMI

安森美半导体

FGA50N100BNTD2

IGBT,1000V,NPT 沟槽

该1000V NPT IGBT采用飞兆专有沟道设计和先进NPT技术,提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性,易于并行运行。该器件为 UPS 及焊机等硬开关应用提供最佳性能。 •高速开关\n•低饱和电压:VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FGA50N100BNTD2

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1000V 50A 156W TO3P

ONSEMI

安森美半导体

FGA50N100BNTDTU

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1000V 50A 156W TO3P

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • V(BR)CES Typ (V):

    1000

  • IC Max (A):

    35

  • VCE(sat) Typ (V):

    2.5

  • VF Typ (V):

    1.2

  • Trr Typ (ns):

    1.2

  • Gate Charge Typ (nC):

    275

  • PD Max (W):

    156

  • Co-Packaged Diode:

    Yes

  • Package Type:

    TO-3P-3L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
17+
TO-3PN
31518
原装正品 可含税交易
询价
FAIRCHILD
24+
TO-3P
8866
询价
FSC
25+
TO247
20
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
FSC
24+
TO3P
5000
全现原装公司现货
询价
FAIRCHILD
18+
TO-3P
41200
原装正品,现货特价
询价
FSC
20+
TO-3PN
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-3PN
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
FAIRCHILD
1932+
TO-3P
229
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-3PN
25000
只做原装进口现货,专注配单
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FAIRCHILD
23+
TO-3P
49076
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
更多FGA50N100BNTD供应商 更新时间2026-4-18 14:00:00