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FGA50N100BNTD2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，1000V，NPT 沟槽该1000V NPT IGBT采用飞兆专有沟道设计和先进NPT技术，提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性，易于并行运行。该器件为 UPS 及焊机等硬开关应用提供最佳性能。 •高速开关\n•低饱和电压：VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGA50N100BNTD2	文件：816.94 Kbytes Page：9 Pages	1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK 文件：816.94 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGA50N100BNTD2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 50A 156W TO3P	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGA50T65SHD	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	FAIRCHILD 仙童半导体上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	FAIRCHILD
FGA60N65SMD	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	ON 上传：深圳市壹芯创科技有限公司	ON

产品属性

产品编号：
FGA50N100BNTD2
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT 和沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，60A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
34ns/243ns
测试条件：
600V，60A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 1000V 50A 156W TO3P

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