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FGA50N100BNTD2中文资料IGBT，1000V，NPT 沟槽数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGA50N100BNTD2 |
| 参数属性 | FGA50N100BNTD2 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1000V 50A 156W TO3P |
| 功能描述 | IGBT，1000V，NPT 沟槽 |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 20:00:00 |
| 人工找货 | FGA50N100BNTD2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGA50N100BNTD2规格书详情
描述 Description
该1000V NPT IGBT采用飞兆专有沟道设计和先进NPT技术，提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性，易于并行运行。该器件为 UPS 及焊机等硬开关应用提供最佳性能。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压：VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 不间断电源
• 其他工业
简介
FGA50N100BNTD2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGA50N100BNTD2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGA50N100BNTD2
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1000
- IC Max (A)
：35
- VCE(sat) Typ (V)
：2.5
- VF Typ (V)
：2.9
- Eoff Typ (mJ)
：-
- Eon Typ (mJ)
：-
- Trr Typ (ns)
：60
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：257
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：156
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Faichild/ON |
25+ |
TO-3P |
530 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3P |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
11+ |
TO-3P |
8 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC |
20+ |
TO-3PN |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO-247 |
926 |
深圳原装进口无铅现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
TO-247 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
标准封装 |
21663 |
我们只是原厂的搬运工 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
TO-3P |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FSC |
25+23+ |
TO-247 |
19570 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
