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FGA30N60LSDTU	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs and bipolar transistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGA30N60LSDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
AIKW30N60CT	文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AR30N60	文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages	ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BIDW30N60T	文件：1.32748 Mbytes Page：10 Pages	BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
DAM30N60C	文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DAM30N60F	文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DAM30N60S	文件：242.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
FGA30N60LSD	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH30N60LSD	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH30N60LSDTU	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGW30N60VD	文件：656.97 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/30A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
G30N60	文件：367.38 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
G30N60	文件：178.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4combinesthebestfeaturesofhighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.ThisIGBTisidealformanyhighvoltageswitchingapplicationsoperatingathighfrequencieswherelowconductionlossesareessential.Thisdevicehasbeen	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
G30N60	文件：221.78 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
G30N60	文件：116.91 Kbytes Page：7 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
G30N60	文件：144.62 Kbytes Page：8 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
G30N60	文件：105.22 Kbytes Page：7 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
G30N60	文件：191.86 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwith TheHGTG30N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderat	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
G30N60	文件：92.78 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

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产品属性

产品编号：
FGA30N60LSDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.4V @ 15V，30A
开关能量：
1.1mJ（开），21mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/250ns
测试条件：
400V，30A，6.8 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FGA30N60LSDTU	FAIRCHILD/仙童	2019+全新原装正品	TO3P	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	FGA30N60LSDTU	onsemi/安森美	新批次	TO-3P	4500		询价
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更多FGA30N60LSDTU供应商更新时间2024-4-27 16:36:00

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