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FGA30N60LSDTU	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs and bipolar transistors 文件：774.14 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGA30N60LSDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH30N60LSD	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A 文件：714.63 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH30N60LSDTU	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A 文件：714.63 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGW30N60VD	文件：656.97 Kbytes Page：8 Pages	Discrete IGBT (High-Speed V series) 600V / 30A 文件：656.97 Kbytes 页数：8 Pages	FUJI 富士通	FUJI

产品属性

产品编号：
FGA30N60LSDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.4V @ 15V，30A
开关能量：
1.1mJ（开），21mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/250ns
测试条件：
400V，30A，6.8 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P

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