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FGA30T65SHD

IGBT,650 V,30A,场截止沟槽

Fairchild 的场截止第三代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •最大结温: TJ=175°C\n•正温度系数,易于并联运行\n•高电流能力\n•低饱和电压: VCE(sat)=1.6 V(典型值) @ IC = 30 A\n•部件 100% 经过 ILM\n 检测\n•高输入阻抗\n•快速开关\n•紧密的参数分布\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FGA30T65SHD

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN

ONSEMI

安森美半导体

IFCM30T65GD

Control Integrated POwer System

文件:1.23983 Mbytes 页数:17 Pages

INFINEON

英飞凌

RBQ30T65A

Schottky Barrier Diode

文件:1.12003 Mbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

RBQ30T65ANZ

Schottky Barrier Diode

文件:730.66 Kbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

产品属性

  • 产品编号:

    FGA30T65SHD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    598µJ(开),167µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    14.4ns/52.8ns

  • 测试条件:

    400V,30A,6 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3PN

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FGA30T65SHD供应商 更新时间2026-1-30 13:29:00