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RBQ30T65ANZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	65V, 30A, 肖特基势垒二极管 RBQ30T65ANZ是一般整流用途的低IR肖特基势垒二极管。 •阴极共通型(TO-220)。\n•低IR型、高可靠性。;	ROHM 罗姆	ROHM
RBQ30T65ANZ	文件：730.66 Kbytes Page：9 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：730.66 Kbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBQ30T65ANZC9	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：RBQ30T65ANZ IS LOW IR	ROHM 罗姆	ROHM
AFGB30T65RQDN	文件：248.39 Kbytes Page：10 Pages	IGBT for Automotive Applications 650 V, 30 A Using novel field stop IGBT technology, onsemi’s new series of FS4 IGBTs offer the optimum performance for automotive applications. This technology is Short circuit rated and offers high figure of merit with low conduction and switching losses. Features • Maximum Junction Temperature: TJ = 17 文件：248.39 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
AFGB30T65SQDN	文件：235.33 Kbytes Page：9 Pages	IGBT for Automotive Applications 文件：235.33 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
AFGHL30T65RQDN	文件：331.91 Kbytes Page：9 Pages	IGBT for Automotive Application 650 V, 30 A Using novel field stop IGBT technology, onsemi’s new series of FS4 IGBTs offer the optimum performance for automotive applications. This technology is Short circuit rated and offers high figure of merit with low conduction and switching losses. Features • Maximum Junction Temperature: TJ = 17 文件：331.91 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

封装：
TO-220FN (3PIN)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Configuration：
C-Common
Package Code：
ITO-220AB
Mounting Style：
Leaded type
Number of terminal：
3
VRM[V]：
65
Reverse Voltage VR[V]：
65
Average Rectified Forward Current IO[A]：
30
IFSM[A]：
100
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.69
IF @ Forward Voltage [A]：
15
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.45
VR @ Reverse Current[V]：
65
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10x15 (t=4.9)

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更多RBQ30T65ANZ供应商更新时间2026-1-28 15:21:00

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