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AFGHL30T65RQDN分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

AFGHL30T65RQDN
厂商型号

AFGHL30T65RQDN

参数属性

AFGHL30T65RQDN 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A

功能描述

IGBT for Automotive Application 650 V, 30 A
650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A

封装外壳

TO-247-3

文件大小

331.91 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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AFGHL30T65RQDN规格书详情

AFGHL30T65RQDN属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的AFGHL30T65RQDN晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Using novel field stop IGBT technology, onsemi’s new series of

FS4 IGBTs offer the optimum performance for automotive

applications. This technology is Short circuit rated and offers high

figure of merit with low conduction and switching losses.

Features

• Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

• Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operation

• High Current Capability

• Low Saturation Voltage: VCE(Sat) = 1.57 V (Typ.) @ IC = 30 A

• 100% of the Parts Tested for ILM (Note 2)

• High Input Impedance

• Fast Switching

• Tightened Parameter Distribution

• This Device is Pb−Free and RoHS Compliant

Typical Applications

• E−compressor for HEV/EV, PTC heater for HEV/EV

产品属性

更多
  • 产品编号:

    AFGHL30T65RQDN

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.82V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    340µJ(开),320µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/68ns

  • 测试条件:

    400V,15A,2.5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A

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