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FGH30N60LSDTU

Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FGH30N60LSDTU

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 60A TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FGW30N60VD

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/30A

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji

G30N60

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG30N60A4combinesthebestfeaturesofhighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.ThisIGBTisidealformanyhighvoltageswitchingapplicationsoperatingathighfrequencieswherelowconductionlossesareessential.Thisdevicehasbeen

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

G30N60

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

产品属性

  • 产品编号:

    FGH30N60LSDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.4V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    1.1mJ(开),21mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/250ns

  • 测试条件:

    400V,30A,6.8 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 60A TO247-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FGH30N60LSDTU供应商 更新时间2025-8-2 23:00:00