丝印：FGH30S130P；Package：TO-247；1300 V, 30 A Shorted-anode IGBT

Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.75 V @ IC = 30 A • High Input Impedance • RoHS Compliant General Description Using advanced field stop trench and shorted-anode technology, Fairchild’s shorted-anode trench IGBTs offer superior conduction and switching

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ONSEMI

安森美半导体

Shorted AnodeTM IGBT

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Fairchild

仙童半导体

IGBT，1300V，30A，短路阳极

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置，具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。 •高速开关\n•低饱和电压：VCE(sat) =1.75V @ IC = 30A\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB

ONSEMI

安森美半导体