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FGL60N100BNTDTU	文件：394.77 Kbytes Page：7 Pages	1000 V, 60 A NPT Trench IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGL60N100BNTDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 60A 180W TO264	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
60N100	文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages	NPT-TrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
CSD60N100	文件：2.36038 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
DAM60N100C	文件：282.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DAM60N100G	文件：246.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DAM60N100T	文件：238.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
FGL60N100BNTD	文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages	NPT-TrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGL60N100BNTD	文件：394.77 Kbytes Page：7 Pages	1000V,60ANPTTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGL60N100D	文件：438.28 Kbytes Page：6 Pages	ElectricalCharacteristicsofIGBT GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductionandswitchingtoplanargatestructure,andalsohavewidenoiseimmunity.ThesedevicesarewellsuitableforIHapplications Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
G60N100	文件：431.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD GeneralDescription TheTSG60N100CEusingproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1000VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicati	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
G60N100BNTD	文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages	NPT-TrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
TSG60N100	文件：431.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
TSG60N100CE	文件：431.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD GeneralDescription TheTSG60N100CEusingproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1000VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicati	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司

产品属性

产品编号：
FGL60N100BNTDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
NPT 和沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，60A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
140ns/630ns
测试条件：
600V，60A，51 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264-3
描述：
IGBT 1000V 60A 180W TO264

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