IGBT，300 V，SMPS

该 IGBT 使用飞兆半导体的平面技术，非常适合许多工作频率高，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。此器件已进行优化，适用于高频开关模式电源。 •低饱和电压：VCE(sat) = 1.4V（最大值）\n•Low EOFF = 6.6µJ/A\n•SCWT = 8µs@ = 125°C\n•300V开关SOA能力\n•高于 50A 电流的正温度系数;

ONSEMI

安森美半导体

300V, PT N-Channel IGBT

文件：183.86 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT PT 300V 75A TO247-3

ONSEMI

安森美半导体

30V SGT Single N-Channel MOSFET

Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Synchronous Rectification in SMPS • Hard Switching and High Speed Circuit • Power Tools • Motor Control

文件：445.88 Kbytes 页数：6 Pages

HUIXIN

慧芯电子

30V Single N-Channel MOSFET

Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Synchronous Rectification in SMPS • Hard Switching and High Speed Circuit • Power Tools • UPS • Motor Control

文件：517.36 Kbytes 页数：6 Pages

HUIXIN

慧芯电子