FGH50N3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

该 IGBT 使用飞兆半导体的平面技术，非常适合许多工作频率高，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。此器件已进行优化，适用于高频开关模式电源。

特性 Features

•低饱和电压：VCE(sat) = 1.4V（最大值）
•Low EOFF = 6.6µJ/A
•SCWT = 8µs@ = 125°C
•300V开关SOA能力
•高于 50A 电流的正温度系数

应用 Application

• 其他工业

简介

FGH50N3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH50N3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。