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FGH40T120SMD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGH40T120SMD

参数属性

FGH40T120SMD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3

功能描述

IGBT,1200V,40A,场截止沟槽
IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:10:00

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FGH40T120SMD规格书详情

描述 Description

通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术,飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

特性 Features

•FS 沟道技术,正温度系数
•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat)= 1.8 V @ IC = 40 A
•ILM
部件100%检测
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准

简介

FGH40T120SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH40T120SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGH40T120SMD

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :1200

  • IC Max (A)

    :40

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.8

  • VF Typ (V)

    :3.8

  • Eoff Typ (mJ)

    :1.1

  • Eon Typ (mJ)

    :2.7

  • Trr Typ (ns)

    :200

  • Irr Typ (A)

    :18

  • Gate Charge Typ (nC)

    :370

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :555

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-247-3

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