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FGH40T120SMD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGH40T120SMD |
参数属性 | FGH40T120SMD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3 |
功能描述 | IGBT,1200V,40A,场截止沟槽 |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 13:10:00 |
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FGH40T120SMD规格书详情
描述 Description
通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术,飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
特性 Features
•FS 沟道技术,正温度系数
•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat)= 1.8 V @ IC = 40 A
•ILM
部件100%检测
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
简介
FGH40T120SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH40T120SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGH40T120SMD
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:1200
- IC Max (A)
:40
- VCE(sat) Typ (V)
:1.8
- VF Typ (V)
:3.8
- Eoff Typ (mJ)
:1.1
- Eon Typ (mJ)
:2.7
- Trr Typ (ns)
:200
- Irr Typ (A)
:18
- Gate Charge Typ (nC)
:370
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:555
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-247-3
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