FGH30N60LSD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

FGH30N60LSD IGBT 使用飞兆半导体的平面技术提供卓越的传导性能，从而为光伏逆变器和 UPS 等低传导损耗为最重要因素的中频开关应用提供最佳性能。

特性 Features

•低饱和电压：VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A
•高输入阻抗
•低传导损耗

应用 Application

• 发电和配电

简介

FGH30N60LSD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH30N60LSD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。