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FGH20N60SFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGH20N60SFD |
参数属性 | FGH20N60SFD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3 |
功能描述 | IGBT,650V,20A,2.2V,TO-247,高速场截止 |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
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FGH20N60SFD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性 Features
•高电流能力
•低饱和电压: VCE(sat) =2.2V @ IC = 20A
•高输入阻抗
•快速开关: EOFF =8uJ/A
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 不间断电源
简介
FGH20N60SFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH20N60SFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGH20N60SFD
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:20
- VCE(sat) Typ (V)
:2.2
- VF Typ (V)
:1.9
- Eoff Typ (mJ)
:0.13
- Eon Typ (mJ)
:0.43
- Trr Typ (ns)
:34
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:66
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:165
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
90 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-247 |
31 |
原装正品,假一罚十! |
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FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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FAIRCHILD |
1932+ |
TO-247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2012 |
TO-220 |
20 |
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FSC原装 |
23+ |
TO-247 |
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FAIRCHILD 仙童 |
23+ |
TO-247 |
28000 |
原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-220 |
30000 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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