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FGH20N60SF_F085中文资料IGBT,600V,20A,1.9V,TO-247,场截止数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGH20N60SF_F085

功能描述

IGBT,600V,20A,1.9V,TO-247,场截止

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 11:36:00

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FGH20N60SF_F085规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的场截止 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为车用充电器、逆变器和其他低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

特性 Features

• 高电流能力
• 低饱和电压: VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 20 A
• 高输入阻抗
• 快速开关
• 符合RoHS标准
• 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求

技术参数

  • 制造商编号

    :FGH20N60SF_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :40

  • VF Typ (V)

    :1.9

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.13

  • Eon Typ (mJ)

    :0.43

  • Trr Typ (ns)

    :40

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :66

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :165

  • Package Type

    :TO-247-3

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