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FGH20N60SFD	文件：796.47 Kbytes Page：9 Pages	600V, 20A Field Stop IGBT General Description Using novel field stop IGBT technology, Fairchild®’s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switch ing losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VC 文件：796.47 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH20N60SFDTU	文件：812.21 Kbytes Page：9 Pages	丝印：FGH20N60SFD；Package：TO-247；IGBT - Field Stop 600 V, 20 A Description Using Novel Field Stop IGBT Technology, ON Semiconductor’s new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Automotive Chargers, Inverter, and other applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low S 文件：812.21 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH20N60SFDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH20N60SFDTU-F085	文件：812.21 Kbytes Page：9 Pages	丝印：FGH20N60SFDTU；Package：TO-247；IGBT - Field Stop 600 V, 20 A Description Using Novel Field Stop IGBT Technology, ON Semiconductor’s new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Automotive Chargers, Inverter, and other applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low S 文件：812.21 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH20N60SFDTU	文件：797.47 Kbytes Page：9 Pages	High current capability, High input impedance 文件：797.47 Kbytes 页数：9 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FGH20N60SFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，650V，20A，2.2V，TO-247，高速场截止飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。 •高电流能力\n•低饱和电压： VCE(sat) =2.2V @ IC = 20A\n•高输入阻抗\n•快速开关： EOFF =8uJ/A\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH20N60SFDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH20N60SFDTU-F085	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
600
IC Max (A)：
20
VCE(sat) Typ (V)：
2.2
VF Typ (V)：
1.9
Eoff Typ (mJ)：
0.13
Eon Typ (mJ)：
0.43
Trr Typ (ns)：
34
Gate Charge Typ (nC)：
66
PD Max (W)：
165
Co-Packaged Diode：
Yes
Package Type：
TO-247-3

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更多FGH20N60SFD供应商更新时间2026-1-28 16:04:00

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