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FGH20N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGH20N60UFD |
| 参数属性 | FGH20N60UFD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3 |
| 功能描述 | IGBT，600V，20A，场截止 |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找货 | FGH20N60UFD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH20N60UFD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性 Features
•高电流能力
•低饱和电压：VCE(sat) =1.8V @ IC = 20A
•高输入阻抗
•快速开关：EOFF =13uJ/A
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 不间断电源
简介
FGH20N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH20N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGH20N60UFD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：20
- VCE(sat) Typ (V)
：1.8
- VF Typ (V)
：1.9
- Eoff Typ (mJ)
：0.26
- Eon Typ (mJ)
：0.38
- Trr Typ (ns)
：57
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：63
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：165
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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