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FGH30N120FTD中文资料Field stop trench technology数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGH30N120FTD

参数属性

FGH30N120FTD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 60A 339W TO247

功能描述

Field stop trench technology
IGBT 1200V 60A 339W TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 11:02:00

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FGH30N120FTD规格书详情

简介

FGH30N120FTD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH30N120FTD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FGH30N120FTDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 339W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
TO-247
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