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FGH25N120FTDS数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGH25N120FTDS |
| 参数属性 | FGH25N120FTDS 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 50A 313W TO247 |
| 功能描述 | IGBT，1200V，25A，场截止沟槽 |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 15:36:00 |
| 人工找货 | FGH25N120FTDS价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH25N120FTDS规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压：VCE(sat) = 1.60V @ IC = 25A
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 其他工业
• 不间断电源
简介
FGH25N120FTDS属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH25N120FTDS晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGH25N120FTDS
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1200
- IC Max (A)
：25
- VCE(sat) Typ (V)
：1.6
- VF Typ (V)
：2.5
- Eoff Typ (mJ)
：1.16
- Eon Typ (mJ)
：1.42
- Trr Typ (ns)
：496
- Irr Typ (A)
：5.2
- Gate Charge Typ (nC)
：169
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：313
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO247 |
143 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO247 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
2447 |
TO-247-3 |
115000 |
450个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
Fairchild Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-2473L |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-247 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 |
