FGH25N120FTDS中文资料IGBT，1200V，25A，场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

特性 Features

•高速开关
•低饱和电压：VCE(sat) = 1.60V @ IC = 25A
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 其他工业
• 不间断电源

简介

FGH25N120FTDS属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH25N120FTDS晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。