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FGH30T65UPDT数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGH30T65UPDT |
| 参数属性 | FGH30T65UPDT 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 60A 250W TO247-3 |
| 功能描述 | 650V，30A，场截止沟槽 IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找货 | FGH30T65UPDT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH30T65UPDT规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列产品采用创新型场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、和数字功率产生器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性 Features
最大结温：TJ = 175oC
正温度系数，易于并联运行
高电流能力
低饱和电压：VCE(sat) = 1.65 V（典型值）@ IC = 30A
器件100%经过ILM(2)测试
高输入阻抗
紧密的参数分布
符合 RoHS 标准
短路耐用性：> 5us @ 25oC
简介
FGH30T65UPDT属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH30T65UPDT晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGH30T65UPDT
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： 650V
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：
- VCE(sat) Typ (V)
：
- VF Typ (V)
：
- Eoff Typ (mJ)
：
- Eon Typ (mJ)
：
- Trr Typ (ns)
：
- Irr Typ (A)
：
- Gate Charge Typ (nC)
：
- Short Circuit Withstand (µs)
：
- EAS Typ (mJ)
：
- PD Max (W)
：
- Co-Packaged Diode
：
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
30 |
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询价 | ||
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1983 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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询价 |
