FGH30S150P数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并联配置，具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。

特性 Features

•高速开关
•低饱和电压：VCE(sat) = 1.85 V @ IC = 30 A
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准

简介

FGH30S150P属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH30S150P晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。