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FGH40N60SMD中文资料600 V、40 A、1.9 V、TO-247场截止 IGBT数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGH40N60SMD |
| 参数属性 | FGH40N60SMD 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 |
| 功能描述 | 600 V、40 A、1.9 V、TO-247场截止 IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 12:00:00 |
| 人工找货 | FGH40N60SMD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH40N60SMD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
特性 Features
•最大结温 TJ=175°C
•正温度系数，易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压： VCE(sat) =1.9V（典型值） IC = 40A 时
•高输入阻抗
•快速开关： EOFF =6.5uJ/A
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 发电和配电
• 不间断电源
• 其他工业
简介
FGH40N60SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH40N60SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGH40N60SMD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：40
- VCE(sat) Typ (V)
：1.9
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：-
- Eon Typ (mJ)
：-
- Trr Typ (ns)
：36
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：-
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：-
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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