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FGH40N60SMD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGH40N60SMD

参数属性

FGH40N60SMD 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3

功能描述

600 V、40 A、1.9 V、TO-247场截止 IGBT
IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:04:00

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FGH40N60SMD规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性 Features

•最大结温 TJ=175°C
•正温度系数,易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压: VCE(sat) =1.9V(典型值) IC = 40A 时
•高输入阻抗
•快速开关: EOFF =6.5uJ/A
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 发电和配电
• 不间断电源
• 其他工业

简介

FGH40N60SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH40N60SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGH40N60SMD

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :40

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.9

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :-

  • Eon Typ (mJ)

    :-

  • Trr Typ (ns)

    :36

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :-

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :-

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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