FGH40T100SMD中文资料IGBT，1000 V，40A，场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆半导体的新型系列的场截止沟道 IGBT 采用创新的场截止沟道 IGBT 技术，可针对诸如 UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

特性 Features

•高电流能力
•低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）@ IC = 40A
•高输入阻抗
•快速开关
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 不间断电源
• 其他工业

简介

FGH40T100SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH40T100SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。