IGBT，1000 V，40A，场截止沟槽

飞兆半导体的新型系列的场截止沟道 IGBT 采用创新的场截止沟道 IGBT 技术，可针对诸如 UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。 •高电流能力\n•低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）@ IC = 40A\n•高输入阻抗\n•快速开关\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

1000V, 40A Field Stop Trench IGBT

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Fairchild

仙童半导体

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1000V 80A 333W TO247-3

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1000V 80A 333W TO247-3

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安森美半导体