丝印：FGH40T120SMD；Package：TO-247-3；IGBT - Field Stop, Trench 1200 V, 40 A

文件：524.9 Kbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FGH40T120SMD；Package：TO-247-3；IGBT - Field Stop, Trench 1200 V, 40 A

文件：524.9 Kbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FGH40T120SMDL4；Package：TO-247-4LD；IGBT - FS, Trench 1200 V, 40 A

文件：592.5 Kbytes 页数：10 Pages

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安森美半导体

IGBT，1200V，40A，场截止沟槽

通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术，飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。 •FS 沟道技术，正温度系数\n•高速开关\n•低饱和电压： VCE(sat)= 1.8 V @ IC = 40 A\n•ILM\n部件100%检测\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;

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安森美半导体

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3

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安森美半导体

IGBT，1200V，25A，FS 沟槽

通过采用创新的场截止沟道 IGBT技术，飞兆半导体®新型系列的场截止沟道 IGBT 可为光伏变频器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。 •FS 沟道技术，正温度系数\n•由于使用了开尔文发射极引脚，因此提供卓越的开关性能\n•低饱和电压： VCE(sat) = 1.8 V（IC = 40 A）\n•ILM\n部件100%检测\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;

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安森美半导体

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

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安森美半导体

Package：TO-247-4；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247

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