FGH40T120SMDL4中文资料IGBT，1200V，25A，FS 沟槽数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

通过采用创新的场截止沟道 IGBT技术，飞兆半导体®新型系列的场截止沟道 IGBT 可为光伏变频器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

特性 Features

•FS 沟道技术，正温度系数
•由于使用了开尔文发射极引脚，因此提供卓越的开关性能
•低饱和电压： VCE(sat) = 1.8 V（IC = 40 A）
•ILM
部件100%检测
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准

简介

FGH40T120SMDL4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH40T120SMDL4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。