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FGH50T65UPD	文件：471.15 Kbytes Page：9 Pages	Marking：FGH50T65UPD；Package：TO-247-3LD；IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 50 A Description UsinginnovativefieldstoptrenchIGBTtechnology, ONSemiconductor’snewseriesoffield−stoptrenchIGBTsoffer optimumperformanceforsolarinverter,UPS,welder,anddigital powergeneratorwherelowconductionandswitchinglossesare essential. Features •MaximumJunctio	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH50T65UPD	文件：344.74 Kbytes Page：10 Pages	650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH50T65UPD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL50T65SQ	文件：244.47 Kbytes Page：8 Pages	FieldStopTrenchIGBT50A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL50T65SQD	文件：257.19 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT50A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL50T65SQDC	文件：345.82 Kbytes Page：10 Pages	HybridIGBT50A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL50T65SQDC	文件：386.32 Kbytes Page：11 Pages	HybridIGBT,50A,650V Usingthenovelfieldstop4thgenerationIGBTtechnologyandthe 1.5thgenerationSiCSchottkyDiodetechnology, AFGHL50T65SQDCofferstheoptimumperformancewithbothlow conductionandswitchinglossesforhighefficiencyoperationsin variousapplications,especiallytotempolebridgeless	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH50T65SQD	文件：548.99 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,50A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL50T65MQD	文件：338.55 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,50A Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologyandfull currentratedcopakDiodetechnology. Features •MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C •PositiveTemperatureCo−efficientforEasyParallelOperating •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.45V(Typ.)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL50T65MQDT	文件：417.91 Kbytes Page：10 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,50A Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologycopacked withfullratedcurrentdiode. Features •MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C •PositiveTemperatureCo−efficientforEasyParallelOperating •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.45V(Typ.)@IC=	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
FGH50T65UPD
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
开关能量：
2.7mJ（开），740µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
32ns/160ns
测试条件：
400V，50A，6 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

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