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FGH50T65UPD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGH50T65UPD
厂商型号

FGH50T65UPD

参数属性

FGH50T65UPD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

功能描述

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 50 A
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

丝印标识

FGH50T65UPD

封装外壳

TO-247-3LD / TO-247-3

文件大小

471.15 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-16 9:52:00

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FGH50T65UPD规格书详情

FGH50T65UPD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的FGH50T65UPD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Description

Using innovative field stop trench IGBT technology,

ON Semiconductor’s new series of field−stop trench IGBTs offer

optimum performance for solar inverter, UPS, welder, and digital

power generator where low conduction and switching losses are

essential.

Features

• Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

• Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating

• High Current Capability

• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.65 V(Typ.) @ IC = 50 A

• 100% of Parts Tested ILM (Note 2)

• High Input Impedance

• Tightened Parameter Distribution

• Short Circuit Ruggedness > 5 s @ 25°C

• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

Applications

• Solar Inverter, UPS, Welder, Digital Power Generator

• Telecom, ESS

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FGH50T65UPD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    2.7mJ(开),740µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    32ns/160ns

  • 测试条件:

    400V,50A,6 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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TO-247
50000
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