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FGH40T65SHDF-F155分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGH40T65SHDF-F155
厂商型号

FGH40T65SHDF-F155

参数属性

FGH40T65SHDF-F155 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3

功能描述

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A
IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3

丝印标识

FGH40T65SHDF

封装外壳

TO-247-3LD / TO-247-3

文件大小

503.73 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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FGH40T65SHDF-F155规格书详情

FGH40T65SHDF-F155属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的FGH40T65SHDF-F155晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Description

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new

series of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction

and switching performance and easy parallel operation. This device

is well suited for the resonant or soft switching application such as

induction heating and MWO.

Features

• Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

• Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating

• High Current Capability

• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.45 V(Typ.) @ IC = 40 A

• 100 of the Parts Tested for ILM (Note 1)

• High Input Impedance

• Fast Switching

• Tighten Parameter Distribution

• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

Applications

• Induction Heating, MWO

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FGH40T65SHDF-F155

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.81V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    1.22mJ(开),440µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/64ns

  • 测试条件:

    400V,40A,6 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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